新型结构线锯切割晶体硅片特性研究。
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17 2019-11-28 11:05:25高效叠焊组件的技术发展与市场前景
17 2019-11-28 10:51:31铸锭单晶——光伏竞价时代的选择
17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
一个多晶硅锭的生产周期大约需要60 小时，包括加热、熔化、生长、退火、冷却5 个步骤。多晶硅锭具有厘米级大晶粒、柱状晶粒结构、电阻率均匀性好、杂质含量低等特点。经多线切割机切成厚度为0.325mm 的多晶硅片，大规 模生产多晶硅太阳电池，电池平均转换效率达到14.7％。
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本发明公开了一种低成本切割高质量太阳能级多晶硅片的方法，采用1200#回收碳化硅与1500#回收碳化硅混合后配制成的砂浆切割液来切割太阳能级多晶硅片。
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多晶硅片表面进行织构化能有效的减少光在太阳电池表面反射造成的损失。多晶硅片表面经过一定比例的HF/HNO3混合液处理后，其表面呈现出凹凸不平的虫孔状表面形态，使太阳光在多晶硅表面形成多次的反射，可以有效的降低多晶硅电池表面的反射率，增强光的吸收，提高多晶硅太阳能电池光电转化效率。
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关于硅片线切割的介绍、设备的厂商介绍，以及国内相关企业发展。
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用于制造太阳能硅片的多晶硅锭的生长是一个相当复杂的工艺。硅锭生长工艺的目标在于优化硅锭合格率(所生产的可制成硅片的合格材料数量)和产出，并最终生产出可制成高效电池的材料，从而实现盈利丰厚的运营结果。为实现这一目标，硅锭生长工艺需要进行严格监控，并需对定向凝固炉在结晶工艺期间的无数种变量加以有效控制。
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随着太阳能产业的发展，各种相关部件也越来越多的成为业界热议的话题。在太阳能电池组件中封装材料一直是除硅片以外最重要的材料，封装材料包括玻璃、胶膜、背板、铝框和硅胶。其中由于背板的主要材料一直为外国公司所垄断，在07、08年一度供不应求，所以背板也是最为引人关注的封装材料。
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芯片设计和验证工程师通常要为在硅片上实现的每一行RTL代码写出多达10行测试平台代码。验证任务在设计周期内可能会占用50%或更多的时间。尽管如此辛苦，仍有接近60%的芯片存在功能瑕疵，需要返工。由于HDL仿真不足以发现系统级错误，芯片设计人员正利用FPGA来加速算法创建和原型设计。
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硅片表面大面积电镀金属
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国内外225家硅片厂商
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硅片厚度对多晶硅太阳电池性能的影响
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![降低硅片表面微粗糙度的预氧化清洗工艺[1]](/uploadfile/file_thumb/file_5239_cover.jpg)
降低硅片表面微粗糙度的预氧化清洗工艺[1]
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一种通用硅片承接盒
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为了进一步降低多晶硅太阳电池的成本，研究了硅片厚度对多晶硅太阳电池的短路电流密度、开路电压和效率的影响。可以看出，在保证多晶硅太阳电池性能不变或者提高的前提下，硅片厚度可以减小到200 u m，如果继续减小厚度，电池的性能将会下降。
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